Número do Produto do Fabricante:
IPI032N06N3 G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI032N06N3 G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
12803633
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IPI032N06N3 G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 118µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI032N
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP000451490
IPI032N06N3G
IPI032N06N3 G-DG
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDI030N06
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
FDI030N06-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
PSMN2R0-60ES,127
FABRICANTE
NXP Semiconductors
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7334
NÚMERO DA PEÇA
PSMN2R0-60ES,127-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.30
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IRFSL3206PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1600
NÚMERO DA PEÇA
IRFSL3206PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.22
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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